基本情况

王鑫炜，男，1994年2月生，群众，讲师，工学博士，江西吉安人，现任Beat365中文官方网站电子与信息工程学院专任教师。

联系方式

Ø 地址：广东省江门市蓬江区东成村22号 Beat365中文官方网站 环境与化学工程学院

Ø 邮编：529020

Ø 邮箱：845471670@qq.com

Ø 电话：13189433363

工作经历

Ø 2026年1月至今，Beat365中文官方网站，电子与信息工程学院，硕士生导师

教育及学习经历

Ø 2021年8月-2025年12月，厦门大学电子科学与技术学院，博士

Ø 2018年8月-2021年3月，天津工业大学电子与信息工程学院，硕士

Ø 2013年9月-2017年6月，沈阳工业大学电子与信息工程学院，学士

讲授课程

机器学习

教学项目

无

主要研究方向

新型半导体材料与器件的研究以及智能信息处理，主要包括第三代半导体碳化硅、氮化镓发光材料以及图像识别等等

科研项目

Ø 深圳市基础研究面上项目 沟槽型多Fin氧化镓肖特基势垒二极管研究，JCYJ20240813145617023, 参与，结题。

Ø 国家自然科学基金项目（面上） 常关型氧化镓基异质结场效应晶体管研究，62171396，参与，结题。

发表学术论文

Ø X. W. Wang‡, Z. L. Sun , S. J. Lin, H. X. Bi, Z. Yang, S. B. Zhou, W. F. Yang.^* Facilitating flat-band voltage shifts of 4H-SiC MOS capacitors by HfO₂/SiO₂ laminated stacks with multiple interfacial dipole layers. Journal of Alloys and Compounds, 2026, 1062, 187557.

Ø X. W. Wang‡, S. B. Wei, H. H. Ke, X. F. Ye, H. J. Weng, S. Y. Wong, W. F. Yang.^* Simultaneous Electric Dipoles and Flat-band Voltage Modulation in 4H-SiC MOS Capacitors through HfO₂/SiO₂ Interface Engineering. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 442, 136219.

Ø X. W. Wang‡, H. X. Bi, S. B. Zhou, X. Y. He,  Z. Yang,  Y. Li, X. K. Peng, H. Long, W. F. Yang.^* High-Speed and Responsivity 4H-SiC MISIM Ultraviolet Photodetector With Si_xN_1-x Interlayer by Atomic Nitrogen Treatment. IEEE SENSORS JOURNAL, 2026, 26, 1923-1930.

Ø H. W. Liu,* X. W. Wang‡, P. J. Niu, P. Shields, Z. Y. Zhang, X. Y. Li, C. Liu, D. X. Wang, Intrinsic Layer Zn doping Diffusion in InP/InGaAs/InP PIN Photodiode. IEEE Photonics Technology Letters, 2021, 33, 503-506.

Ø H. H. Ke, X. F. Ye, X. W. Wang‡, Y. C. Sun, R. D. Hong, W. F. Yang.^* High-Performance 8x8 4H-SiC-Based MISIM Photodetector Arrays for UV Imaging. IEEE Photonics Technology Letters, 2024, 33, 239-242.

Ø X. Y. Ye, H. H. Ke, S. B. Wei, H. J. Weng, X. W. Wang‡, S. Y.g Wong, W. F. Yang.^* A trench beside field limiting rings terminal for improved 4H-SiC junction barrier Schottky diodes: Proposal and investigation. Microelectronics Reliability, 2024, 160, 115459.

Ø 王鑫炜‡，刘宏伟*，  高克，  张赞允，  李晓云，  宁平凡，  王笃祥，  牛萍娟. Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱结构极化和光谱仿真分析[J]. 发光学报, 2021, 42, 111-117.

申请及授权专利

Ø 刘宏伟  王鑫炜 高克 牛萍娟 张赞允 王迪；电注入三维GaN核壳结构Nano-LED及制作方法；中国专利，授权号：CN110993755B.

Ø 杨伟锋 王鑫炜 冶晓峰 龙明滔；一种含稀土栅介质层的超结SiC MOSFET及其制造方法；中国专利，授权号：CN116314259B.

Ø 杨伟锋 王鑫炜 冶晓峰 龙明滔；一种含稀土栅介质层的平面型SiC MOSFET及其制造方法；中国专利，授权号：CN116072707B.

获奖及荣誉

Ø 《防诈骗平台》商业计划书专项赛初赛团队二等奖

Ø 《基于45nm CMOS 工艺高效能功率放大器的研究与设计》华北分赛区团队二等奖

Ø 《IEEE杯-面向4G/5G通信的高能效CMOS功率放大器设计》全国大学生集成电路创新创业大赛中荣获华北分赛区三等奖

Ø 《适岗培训平台》商业计划书专项赛初赛团队二等奖